介质■长江存储改进3D NAND存储工艺，助力128层QLC( 二 ) |长江|结构|

此专利提出在3D NAND结构的沟道孔进行各层结构沉积步骤之前，增大沟道孔区域的牺牲介质层刻蚀面积，从而使得后续沉积形成沟道内各层结构时， ONOP叠层结构在牺牲介质层平面内位于层间介质层的下方，对层间介质层起到支撑作用。在后续去除O/N堆叠结构中的氮化物层，替换为导电金属，制作形成栅极线之前，由于牺牲介质层被去除，仅剩余O/N堆叠结构中的层间介质层，此时，沟道孔内位于相邻两层层间介质层之间的ONOP结构对层间介质层起到支撑作用，从而使得沟道孔和层间介质层的结构更加稳固，进而降低了O/N堆叠结构中的牺牲介质层去除后，层间介质层出现破裂或坍塌的风险。
【介质■长江存储改进3D NAND存储工艺，助力128层QLC】以上就是长江存储提供的一种3D NAND制作方法，正是这一系列创新型想法的提出，长江存储才能不断积累技术经验，逐渐开发出具备强大市场竞争能力的32层、64层直到128层的NAND存储结构，为国内半导体产业、5G、AI技术的发展提供强大助力。